多晶硅太陽能電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，但是多晶硅太陽能電池的光電轉換效率則要降低不少，其光電轉換效率約17-18%左右。從制作成本上來講，比單晶硅太陽能電池要便宜一些，材料制造簡便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。單晶硅太陽能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復雜，電耗很大，在太陽能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽能電池也是圓片，組成太陽能組件平面利用率低。由于多晶硅內(nèi)存在明顯的晶粒界面，晶格錯位等缺陷，其效率還比較低。還有載流子遷移率、壽命和擴散長度等，與單晶硅太陽電池相比，多晶硅太陽電池都低很多。鋼化玻璃：其作用為保護發(fā)電主體（電池片），透光其選用是有要求的， （1）透光率必須高（一般91％以上）；（2）超白鋼化處理；EVA：用來粘結固定鋼化玻璃和發(fā)電主體（電池片），透明EVA材質(zhì)的優(yōu)劣直接影響到組件的壽命，暴露在空氣中的EVA易老化發(fā)黃，從而影響組件的透光率，從而影響組件的發(fā)電質(zhì)量除了EVA本身的質(zhì)量外，組件廠家的層壓工藝影響也是非常大的，如EVA膠連度不達標，EVA與鋼化玻璃、背板粘接強度不夠，都會引起EVA提早老化；電池片：主要作用就是發(fā)電，發(fā)電主體市場上主流的是晶體硅太陽電池片、薄膜太陽能電池片，兩者各有優(yōu)劣晶體硅太陽能電池片，設備成本相對較低，但消耗及電池片成本很高，但光電轉換效率也高，在室外陽光下發(fā)電比較適宜薄膜太陽能電池，相對設備成本較高，但消耗和電池成本很低。

    太陽能電池芯片是具有光電效應的半導體器件，半導體的PN結被光照后產(chǎn)生電流，當光直射太陽能電池芯片，被吸收的光激發(fā)被束縛的高能級狀態(tài)下的電子，使之成為自由電子，這些自由電子在晶體內(nèi)向各方向移動，余下空穴（電子以前的位置）。空穴也圍繞晶體飄移，自由電子（－）在N結聚集，空穴（＋）在P結聚集，當外部環(huán)路被閉合，電流產(chǎn)生。用戶太陽能電源，小型電源10-100W不等，用于邊遠無電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電，如照明、電視、收錄機等，3-5KW家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)。光伏水泵：解決無電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。用在交通領域，如航標燈、交通/鐵路信號燈、交通警示/標志燈、宇翔路燈、高空障礙燈、高速公路/鐵路無線電話亭、無人值守道班供電等。太陽能無人值守微波中繼站、光纜維護站、廣播/通訊/尋呼電源系統(tǒng)；農(nóng)村載波電話光伏系統(tǒng)、小型通信機、士兵GPS供電等。石油管道和水庫閘門陰極保護太陽能電源系統(tǒng)、石油鉆井平臺生活及應急電源、海洋檢測設備、氣象/水文觀測設備等。

      多晶硅太陽能電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多，但是多晶硅太陽能電池的光電轉換效率則要降低不少，其光電轉換效率約12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率為14.8%的世界最高效率多晶硅太陽能電池)。從制作成本上來講，比單晶硅太陽能電池要便宜一些，材料制造簡便。單晶硅太陽能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復雜，電耗很大，在太陽能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽能電池也是圓片，組成太陽能組件平面利用率低。因此，80年代以來，歐美一些國家投入了多晶硅太陽能電池的研制。發(fā)射極及背表面鈍化（PERC）高效電池結構 ；氧化鋁作為太陽能電池鈍化材料具有制備溫度低、鈍化效果優(yōu)良、禁帶寬、技術自身沒有明顯缺陷以及適用范圍廣等眾多優(yōu)點。它已被證明可為低電阻的p型、n型以及硼和Al摻雜的p+型發(fā)射極提供良好的表面鈍化效果。也非常適用于發(fā)射極及背表面鈍化(PERC)高效電池的背表面鈍化，可提升轉化效率0.5%（多晶硅電池）-1%（單晶硅電池），被業(yè)界認為是最有希望的下一代背鈍化材料。 氧化鋁背鈍化工藝只需在現(xiàn)有電池生產(chǎn)工藝基礎上增加氧化鋁鍍膜和激光劃線兩步，與其它高效電池工藝相比，技術難度較小，設備投資成本低。目前，國內(nèi)外多家太陽能電池廠家都在積極的進行氧化鋁背鈍化工藝開發(fā)，部分一線廠家已經(jīng)開始導入量產(chǎn)。 太陽能電池是以光電效應為基礎把光能直接轉換成電能的裝置。硅 基薄膜太陽能通常采用PIN的結構：I層用來吸收太陽光能量，P層和N層用來形成內(nèi)建電場以收集電荷。當入射光照在電池表面，I層會吸收光子的能量并產(chǎn)生 空穴電子對。在PN結的內(nèi)建電場作用下，空穴向P層移動，電子向N層移動。

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